存储器

尽管在存储器市场中，供应商的数量不断减少，可供选择的产品系列也日渐萎缩，但赛普拉斯依然可为市场提供最佳的解决方案。虽然许多企业在继续放弃市场，赛普拉斯却仍是具有创新精神、可靠、敬业的供应商，可以满足您的存储器需求。长期致力于最广泛的产品线、产品开发、行业资历和最先进的技术使赛普拉斯成为您的首选存储器供应商。

无论您是哪种应用（从手持设备到网络设备），赛普拉斯的存储器系列都是多功能的典范：micropower、快速异步、同步和非易失性 SRAM，以及多端口、FIFO 和串行 EEPROM 存储器。当今市场上不断有产品使用期结束 (EOL) 的情况，赛普拉斯可为您的长期运营需求提供支持和信心。

同步 SRAM - 业界最广泛的产品系列：

赛普拉斯致力于提供齐全的高密度同步 SRAM 系列，包括 QDR/DDR、QDR II 和 DDR II、No Bus Latency 以及标准流水线和涌流产品。赛普拉斯提供业内最广泛的 65 纳米同步 SRAM 产品系列，密度从 1 Mbits 到 144 Mbits，速度最高为 550 MHz。作为一家顶级同步 SRAM 制造商，赛普拉斯能够将最佳制造工艺融入其产品，并提供完善的客户支持。没有其他供应商能够与赛普拉斯在密度、速度等级选项、温度范围以及 TQFP 和 BGA 含铅和无铅封装领域相匹敌。赛普拉斯提供含铅和无铅封装 SRAM 产品系列；涵盖商业级、工业级和军事级三种选择；接口配置种类丰富；性能选择灵活多样。赛普拉斯还可与客户合作，提供针对特定应用需求的解决方案。 赛普拉斯已向世界各地超过 150 家客户提供了 100 多万件 65 纳米 SRAM 产品。

QDRII 同步 SRAM

  x 36、x 18、x 9  I/O 配置

  供应突发长度为 2 和 4 的产品

  突发长度为 4 和 2 的产品时钟频率最高可达 333MHz

  读取延迟为 1.5 个周期

  符合 ROHS 5/6、RoHS 6/6 标准的 165 BGA 封装

QDRII 同步 SRAM

  x 36、x 18、x 9 I/O 配置

  供应突发长度为 2 和 4 的产品

  突发长度为 4 和 2 的产品时钟频率最高分别为 550MHz 和 333MHz。

  供应读取延迟周期为 2 和 2.5 的产品

  ODT：高低范围

  符合 ROHS 5/6、RoHS 6/6 标准的 165 BGA 封装

DDRII 同步 SRAM

  x 36、x 18 I/O 配置

  时钟频率最高可达 333 MHz

  供应突发长度为 2 的产品

  符合 ROHS 5/6、RoHS 6/6 标准的 165 BGA 封装

DDRII 同步 SRAM

  x 36、x 18 I/O 配置

  时钟频率最高可达 550 MHz

  供应突发长度为 2 的产品

  供应读取延迟周期为 2 和 2.5 的产品

  ODT：高低范围

  符合 ROHS 5/6、RoHS 6/6 标准的 165 BGA 封装

超低功耗 SRAM - 先进的处理技术：

赛普拉斯致力于维护快速异步和低功率 SRA M 支持，即使主要参与者退出市场。通过提供 SRAM 领域最先进的加工技术，赛普拉斯 MoBL SRAM 以业界最广泛的产品系列（从 64 Kb 至 64 Mb）主宰了低功率市场，赛普拉斯采用以下行业标准封装方式提供符合 RoHS（有害物质限制）标准的 MicroPower SRAM：FBGA、VFBGA、SOIC、STSOP、TSOP、TSOP II 和 PDIP（在工业温度范围内）。这些 SRA M 适用于右侧所显示应用中的高性能、高电池寿命存储器解决方案。

快速异步 SRAM - 无与伦比的品质：

赛普拉斯提供最广泛的快速异步 SRAM 产品系列（从 4 Kb 至 32 Mb），并采用行业标准电压、总线宽度和封装方式。这些设备可提供最快的访问时间，使其成为网络设备的最佳选择。赛普拉斯的快速异步 SRAM 拥有一流的加工技术以及生产和客户支持。快速异步 SRAM 采用符合有害物质限制 (RoHS) 标准和行业标准的封装方式：FBGA、VFBGA、SOJ、TSOP、TSOP II 和 PDIP（在工业温度范围内）。

多端口存储器 - 最大限度地改善性能：

赛普拉斯的多端口存储器解决方案提供业界最高性能的互连产品。我们的多端口存储器产品系列包括超过 250 种同步和异步产品，其密度从 8 Kb 至 36 Mb。采用 90 纳米技术开发的 FullFlex 高密度同步双端口 SRAM 系列提供 4 Mb、9 Mb、18 Mb 和 36 Mb 密度，采用 x18、x36 和 x72 配置。赛普拉斯多端口采用行业标准封装，如 TQFP、FBGA、PLCC 和模压 DIP。

  尖端技术：90 纳米

  最低电压范围：1.2V 和 1.8V

  最高密度范围：2 Mb 至 36 Mb

  最广深度范围：x18 至 x72

FIFO 存储器 - 最高性能：

赛普拉斯提供密度从 2 Kb 至 1 Mb 的 FIFO 存储器，为以下所列的互连问题提供理想的解决方案：

1.流量控制

2.速率匹配

3.总线匹配

全面的 FIFO 产品线采用行业标准封装，如 TQFP 和 PL CC。这些设备可以很容易地集成到新设计和现有设计中，可帮助设计人员简化系统设计和缩短设计周期。提供 100 种以上的异步和同步 FIFO 存储器类型。

存储器类别：

异步 SRAM

双端口 SRAM

FIFO

MoBL 双端口

Non-Volatile Products

Quadport DSE SRAM

同步 SRAM

晶圆和晶片